résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
plaque (1000 x 305 mm) convenant aux découpes
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
plaque (1000 x 305 mm) convenant aux découpes
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, TO 247, TO 248, 24 x 21 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, TO 247, TO 248, 24 x 21 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, 23 x 18 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, 23 x 18 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 18 x 13 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 18 x 13 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, TO 247, TO 248, 24 x 21 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 218, TO 247, TO 248, 24 x 21 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 23 x 18 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 23 x 18 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 18 x 13 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 220, 18 x 13 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 3, 42 x 29 mm
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résistance thermique: 0,15 K/W [à 1 inch2; = 6,45 cm2; = TO 3 (KAP 3)]
gamme de températures: -40°C... +150°C
conductubilité thermique: 0,45 W/m·K (matériau de base)
résistance diélectrique: 1014 Ω
pour semiconducteurs type TO 3, 42 x 29 mm
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VEN 7:30 - 15:15