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Matériel isolant en caoutchouc-silicon pour semiconducteurs - rondelles

WB 3/ WG 3/
WK 3/ WS 3

WB 3

plan de la découpe TO 3, 42 x 29 mm
  • gamme de températures: 
    -40°C... +150°C
  • résistance diélectrique: 
    1·1013 Ω·m
  • extensibilité: 
    2 %
  • résistance disruptive: 
    3 kV
  • classe d'inflammabilité: 
    UL 94 V-0
Prix ​​sur demande
Quantité
Caractéristiques
couleur:
brun
type de feuille:
feuille WB
pour transistor:
TO 3
matériau:
feuille silicone, renforcée par fibre de verre
résistance thermique:
0,34 K/W
épaisseur du matériau:
0,15+0,020/-0,040 mm
dureté:
92 IRHD
conductibilité thermique:
1,44 W/m·K
gamme de températures:
-40°C... +150°C
résistance diélectrique:
1·1013 Ω·m
extensibilité:
2 %
résistance disruptive:
3 kV
classe d'inflammabilité:
UL 94 V-0
Varianten
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  • gamme de températures: -40°C... +150°C
  • résistance diélectrique: 1·1013 Ω·m
  • extensibilité: 100 %
  • résistance disruptive: 10 kV
plan de la découpe TO 3, 42 x 29 mm
 
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  • gamme de températures: -40°C... +150°C
  • résistance diélectrique: 1·1013 Ω·m
  • extensibilité: 2 %
  • résistance disruptive: 6 kV
plan de la découpe TO 3, 42 x 29 mm
 
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  • gamme de températures: -40°C... +150°C
  • résistance diélectrique: 1·1013 Ω·m
  • extensibilité: 2 %
  • résistance disruptive: 6 kV
plan de la découpe TO 3, 42 x 29 mm
 
* This information refers to the standard variant of the product, so it might change when another variant is chosen.
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